k8凯发(中国)天生赢家·一触即发

　　证券之星消息◈✿✿，近期锴威特（688693）发布2024年年度财务报告◈✿✿，报告中的管理层讨论与分析如下◈✿✿：

　　2024年◈✿✿，公司实现营业总收入13013.44万元◈✿✿，较上年同期下降39.12%◈✿✿；实现归属于母公司所有者的净利润为-9718.93万元◈✿✿，较上年同期下降646.16%◈✿✿；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润为-10825.84万元◈✿✿，较上年同期下降1430.30%◈✿✿。

　　受宏观经济增长放缓及中美脱钩加剧的双重影响◈✿✿，半导体产业的整体复苏周期较预期更为漫长◈✿✿。2024年◈✿✿，消费者对未来收入的乐观预期有所减弱◈✿✿，导致市场需求持续低迷◈✿✿。同时◈✿✿，2021年“缺芯潮”期间启动的晶圆扩产项目陆续完工◈✿✿，行业产能集中释放◈✿✿，形成了供大于求的市场格局◈✿✿，进一步加剧了功率半导体产品的市场价格竞争◈✿✿。在此背景下◈✿✿，公司产品售价持续承压◈✿✿，而上游FAB的成本传导存在滞后效应◈✿✿。上述因素共同作用◈✿✿，导致公司销售规模及利润指标出现下滑◈✿✿。

　　在高可靠领域◈✿✿，公司主营产品处于产业链配套的末端◈✿✿，产品验证周期较长◈✿✿，收入确认时间相对滞后◈✿✿。同时◈✿✿，受行业客观因素影响◈✿✿，阶段性需求有所放缓◈✿✿，下游新增订单不及预期◈✿✿。此外◈✿✿，客户面临成本压力◈✿✿，为满足其需求◈✿✿，部分产品公司推出了低成本解决方案◈✿✿，整体营业收入同比减少◈✿✿，净利润同比下降◈✿✿。

　　报告期内◈✿✿，公司经历了上市以来的首次亏损◈✿✿，面对复杂多变的内外部形势◈✿✿，坚持以“强基◈✿✿、赋能◈✿✿、保质◈✿✿、控本◈✿✿、增效”为工作主线◈✿✿，凝心聚力◈✿✿，攻坚克难◈✿✿，沉着应变◈✿✿，综合施策◈✿✿。公司为实现逆势布局◈✿✿，全面提升设计研发◈✿✿、供应链保障◈✿✿、封装测试◈✿✿、应用测试◈✿✿、质量管控等综合能力◈✿✿，积极应对各种风险挑战◈✿✿，坚持创新驱动◈✿✿，不断巩固和提升公司产品技术领先和创新优势◈✿✿，在研发投入◈✿✿、市场开拓◈✿✿、供应链管理◈✿✿、产品质量管理◈✿✿、人才建设等多方面加大资源投入◈✿✿，导致经营性费用增加◈✿✿。公司期间费用的增加对净利润产生了阶段性影响◈✿✿。然而◈✿✿，从长期来看◈✿✿，有利于巩固公司的长期发展基础◈✿✿，增强应对外部环境变化的灵活性◈✿✿，为未来的高质量发展奠定了坚实基础◈✿✿，努力推动公司高质量可持续发展◈✿✿，提升公司未来的整体盈利能力◈✿✿。

　　基报告期内◈✿✿，公司严格按照中国证监会◈✿✿、上海证券交易所的其他相关法律法规◈✿✿、部门规章的要求◈✿✿，不断完善法人治理结构◈✿✿，进一步增强规范运作意识◈✿✿，积极组织对公司董事◈✿✿、监事◈✿✿、高级管理人员等开展培训学习◈✿✿。公司股东大会嘿嘿连载下载汅api免费旧版破解版◈✿✿、董事会（包括专门委员会）◈✿✿、监事会及经营层◈✿✿，积极履行各自职责天生赢家◈✿✿，严格履行信息披露义务◈✿✿，确保公司规范治理得到持续加强◈✿✿，切实维护公司及全体股东利益◈✿✿，助力公司实现高质量健康发展◈✿✿。

　　报告期内◈✿✿，公司秉持“人才是第一资源”的理念◈✿✿，一方面◈✿✿，大力提升现有人才队伍整体素质◈✿✿，公司全年新增37人◈✿✿，同比增加24.18%◈✿✿，其中不乏行业内的资深专家和优秀应届毕业生◈✿✿，为公司注入了新鲜血液◈✿✿，充实了研发◈✿✿、营销◈✿✿、管理等各领域的人才储备◈✿✿。另一方面◈✿✿，基于对业务支持的基础上◈✿✿，针对各岗位员工不同的业务需求◈✿✿，不断探索组织内部培训课程◈✿✿，开展特色专项培训◈✿✿，涵盖专业技能培训◈✿✿、管理能力提升◈✿✿、企业文化宣贯等多个方面◈✿✿，员工的专业素养和综合能力得到显著提升◈✿✿，为公司长远发展提供了坚实的人才支撑◈✿✿，满足人才学习发展的需求◈✿✿。

　　2024年度◈✿✿，报告期内研发费用为5866.02万元◈✿✿，同比增长62.85%◈✿✿。公司始终重视研发创新能力建设◈✿✿，持续加大研发投入◈✿✿，根据市场发展趋势◈✿✿、下游客户需求◈✿✿，不断拓宽产品系列◈✿✿，强化自主研发产品竞争力◈✿✿，报告期内公司稳步推进产品研发及迭代升级◈✿✿。

　　PWM控制IC方面◈✿✿：公司持续丰富产品线◈✿✿，完成了反激◈✿✿、正激◈✿✿、半桥◈✿✿、推挽◈✿✿、全桥◈✿✿、移相全桥等隔离拓扑产品系列化◈✿✿，推出了输入电压高达100V以上同步Buck控制器◈✿✿、同步Boost控制器等新品◈✿✿。为提高电源系统效率◈✿✿，推出了可支持反激◈✿✿、QR◈✿✿、LLC等拓扑的同步整流驱动IC◈✿✿，工作频率可高达1MHz◈✿✿，工作电压可达300V◈✿✿。

　　功率驱动IC方面◈✿✿：公司推出80V3A集成MOSFET的单芯片H桥驱动芯片◈✿✿，同时可支持100%占空比工作中◈✿✿，进一步提升系统的安全及可靠性◈✿✿；公司推出180VGaN专用半桥驱动芯片◈✿✿，工作频率高达1MHz以上◈✿✿。

　　在功率MOSFET方面◈✿✿，报告期内公司开发完善了沟槽MOSFET及高压超结的工艺平台优化和产品布局◈✿✿，开发了40V◈✿✿、60V◈✿✿、80V◈✿✿、100VSGT工艺平台并完成了12寸晶圆产线的工艺开发◈✿✿。SiCMOSFET方面◈✿✿：公司加大SiCMOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发◈✿✿，报告期内与国内晶圆代工厂合作开发了1200V◈✿✿、1700V◈✿✿、2600V◈✿✿、3300VSiCMOSFET的生产工艺平台◈✿✿，其中1200VSiCMOSFET工艺平台已成功进入中试阶段◈✿✿，新推出2600V和3300VSiCMOSFET产品◈✿✿，目前产品进入小批验证阶段◈✿✿。

　　在知识产权方面◈✿✿，截至2024年12月31日◈✿✿，公司累计共已获授权专利113项（其中发明专利70项◈✿✿、实用新型专利43项）◈✿✿，集成电路布图设计专有权99项◈✿✿。

　　2024年度◈✿✿，公司组织开展了管理评审◈✿✿、内审◈✿✿、专项自查等一系列的质量管理工作◈✿✿，始终坚持以“服务零缺陷”为质量目标◈✿✿，进一步完善质量管理体系◈✿✿，严格按照质量管理体系标准要求◈✿✿，对产品质量进行全过程管控◈✿✿。开展内部质量审核◈✿✿，发现并整改质量问题◈✿✿，质量管理水平持续提升◈✿✿。同时◈✿✿，加强供应商质量管理◈✿✿，对供应商进行严格筛选和定期评估◈✿✿，确保了产品质量的稳定性和可靠性◈✿✿。以客户满意度为导向◈✿✿，持续开展产品质量改进活动◈✿✿，产品质量得到显著提升◈✿✿。在服务质量方面◈✿✿，建立客户反馈快速响应机制◈✿✿，优质的产品与服务为公司赢得了良好的口碑和稳定的客户资源◈✿✿。通过开展“质量月”活动◈✿✿，大力宣传质量工作方针政策◈✿✿，普及质量管理知识◈✿✿，在公司内形成了浓厚的高质量发展氛围◈✿✿。

　　公司建立了较为完善的营销体系◈✿✿，与主要客户建立了稳定的合作关系◈✿✿。报告期内◈✿✿，公司持续加大市场开拓力度◈✿✿，深化营销体系建设◈✿✿，完善激励措施◈✿✿，充分调动营销人员的积极性◈✿✿、创造性◈✿✿；始终聚焦客户需求◈✿✿，不断调整公司业务策略◈✿✿，以更好地适应市场变化◈✿✿，区域落地纵深和客户覆盖范围逐渐拓展◈✿✿，更好服务客户◈✿✿、及时响应客户需求◈✿✿，提升服务质量◈✿✿，使公司客户群体更加丰富◈✿✿，客户结构不断优化◈✿✿。报告期内◈✿✿，新组建市场部◈✿✿，负责洞察市场变化◈✿✿、市场开拓和品牌策略◈✿✿，通过展会◈✿✿、客户需求挖掘◈✿✿、客户口碑推广◈✿✿、有针对性地联系客户等多种渠道进行市场推广◈✿✿，加强代表性应用案例的宣传力度◈✿✿，扩大公司品牌的知名度与美誉度◈✿✿。及时获取客户的需求变化信息◈✿✿，调整研发◈✿✿、采购及生产布局◈✿✿，从而满足客户的差异化需求◈✿✿，提升自身的市场响应能力◈✿✿。报告期内◈✿✿，公司销售费用1947.70万元◈✿✿，同比增长85.80%◈✿✿。

　　为践行以“投资者为本”的上市公司高质量发展理念◈✿✿，维护全体股东利益◈✿✿，促进公司可持续发展◈✿✿，公司于2024年4月制定了《2024年度“提质增效重回报”行动方案》◈✿✿。方案实施以来◈✿✿，公司围绕聚焦主业发展战略◈✿✿，一方面优化供应策略以应对严峻多变的内外部形势◈✿✿，保障全年订单的稳定供应◈✿✿，另一方面通过加大研发投入◈✿✿，不断培育新质生产力◈✿✿，推动工艺和技术高效升级◈✿✿，确保关键核心技术的自主可控◈✿✿，提升公司核心竞争力◈✿✿，引领公司高质量发展◈✿✿。

　　同时◈✿✿，公司不断提升公司治理水平◈✿✿，高度重视投资者权益保护◈✿✿，不断完善投资者保护工作机制◈✿✿，坚持高标准的信息披露嘿嘿连载下载汅api免费旧版破解版◈✿✿、与投资者密切交流等举措天生赢家◈✿✿，强化公司与投资者的良性互动◈✿✿；履行重回报承诺◈✿✿，持续现金分红◈✿✿，增加分红频次◈✿✿，实施中期分红◈✿✿。报告期内◈✿✿，公司完成2023年年度和2024年半年度权益分派实施◈✿✿，合计派发现金分红金额达到1989.47万元◈✿✿，为稳市场◈✿✿、稳信心积极贡献力量◈✿✿。

　　2025年◈✿✿，公司将以提质控本增效为总方针◈✿✿，全面优化经营管理体系◈✿✿，科学配置资源◈✿✿，强化收款管理◈✿✿，优化资金使用效率嘿嘿连载下载汅api免费旧版破解版◈✿✿，严格把控成本◈✿✿，从采购◈✿✿、生产到销售的各个环节深挖降本潜力◈✿✿，精准施策◈✿✿。通过这些举措◈✿✿，提升公司的经营韧性◈✿✿，增强抵御风险的能力◈✿✿，全方位提高经营质量与盈利水平◈✿✿，为公司的可持续价值创造筑牢坚实根基◈✿✿，推动公司在高质量发展的道路上行稳致远◈✿✿。

　　公司主营业务为功率半导体的设计◈✿✿、研发和销售◈✿✿，并提供相关技术服务◈✿✿。公司坚持“自主创芯◈✿✿，助力核心芯片国产化”的发展定位◈✿✿，通过自主创新和技术沉淀天生赢家◈✿✿，已同时具备功率器件和功率IC的设计◈✿✿、研发能力◈✿✿。公司主要产品包含功率器件及功率IC两大类◈✿✿，同时也为部分客户提供芯片设计及工艺开发等技术服务◈✿✿。主要产品或服务情况如下◈✿✿：

　　在功率器件方面◈✿✿，公司产品布局平面MOSFET◈✿✿、集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）◈✿✿、中低压沟槽型MOSFET◈✿✿、超结MOSFET和SiCMOSFET产品◈✿✿。平面MOSFET产品已实现产品系列化◈✿✿，覆盖40~1500V电压段◈✿✿，已形成低压◈✿✿、中压◈✿✿、高压全系列功率MOSFET产品系列◈✿✿；在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压MOSFET（FRMOS）系列产品◈✿✿，产品采用重金属掺杂工艺◈✿✿，具有优异的反向恢复特性◈✿✿，可为客户降低系统功耗◈✿✿，解决系统电磁干扰问题◈✿✿；中低压沟槽型MOSFET在已有产品基础上◈✿✿，针对BMS◈✿✿、电机驱动等应用场景开发了抗短路能力大的80V◈✿✿、100V沟槽屏蔽栅MOSFET◈✿✿；超结MOSFET采用多次外延的技术路线代超结技术平台的研发◈✿✿，形成600V~850V电压段产品系列化◈✿✿；SiCMOSFET产品是公司功率器件方向布局未来的重要产品线◈✿✿，公司与晶圆工厂密切合作◈✿✿，优化产品设计和工艺流程◈✿✿，提升产品竞争力◈✿✿，已从公司第2代SiCMOS提升到第3代SiCMOS技术平台◈✿✿，将1200VSiCMOSRonsp降低至3.0mR-cm2以下◈✿✿，同时研发了集成SBD的SiCMOSFET◈✿✿，解决SiCMOSFET寄生二极管的缺陷问题◈✿✿，适用于OBC等应用场合◈✿✿，研发集成ESD保护的SiCMOSFET◈✿✿，已满足要求严苛的应用环境◈✿✿。

　　公司功率IC产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC◈✿✿，公司的PWM控制IC主要包括隔离和非隔离DC-DC◈✿✿、PFC控制器◈✿✿、理想二极管控制器◈✿✿、浪涌抑制控制器◈✿✿、高频栅极驱动器◈✿✿、高边电流采样放大器等产品◈✿✿。隔离和非隔离DC-DC产品涵盖反激◈✿✿、反激双路交错◈✿✿、正激有源钳位◈✿✿、推挽◈✿✿、半桥◈✿✿、全桥◈✿✿、移相全桥◈✿✿、降压◈✿✿、升压以及升降压等多拓扑配置◈✿✿，帮助客户灵活创建各种电源设计◈✿✿；同时集成了欠压◈✿✿、过压◈✿✿、过流◈✿✿、过热等多种保护功能◈✿✿，确保系统安全稳定工作◈✿✿，能够为客户提供隔离式开关电源系列化的解决方案◈✿✿。

　　公司栅极驱动IC主要为电机驱动IC◈✿✿，其能够将电机控制器（MCU）输出的低压控制信号转换成驱动功率器件的高压驱动信号◈✿✿，来驱动功率器件进行开关动作◈✿✿，从而驱动电机工作◈✿✿，集成了高侧和低侧驱动器◈✿✿，可降低开关损耗◈✿✿，适应嘈杂的环境并提高系统效率◈✿✿。公司的驱动IC产品包含单相半桥◈✿✿、全桥◈✿✿、三相全桥产品系列◈✿✿，可满足多种场景的应用要求◈✿✿。

　　公司在开发产品的同时◈✿✿，利用长期积累的设计经验和工艺开发能力◈✿✿，为客户提供芯片设计及工艺开发等技术服务◈✿✿，公司技术服务主要覆盖高可靠领域客户◈✿✿，包括产品开发和工艺开发流片两类◈✿✿。

　　产品开发◈✿✿：在该类技术服务过程中◈✿✿，由客户定义产品的功能和参数指标◈✿✿，委托公司对该产品进行设计开发◈✿✿，后续公司根据客户的具体需求◈✿✿，可以为客户提供制版◈✿✿、流片和测试验证等技术服务工作◈✿✿。

　　工艺开发流片◈✿✿：客户基于晶圆厂已有工艺平台◈✿✿，需要开发新的器件或者其他工艺升级要求◈✿✿。在工艺开发流片的服务过程中◈✿✿，由公司负责新器件工艺开发或为客户提供其指定需求的工艺服务◈✿✿。后续由客户基于公司提供的工艺服务自行设计产品◈✿✿，并委托公司进行制版◈✿✿、流片的服务◈✿✿。而产品的测试验证等工作由客户自行负责◈✿✿。

　　公司为采用Fabless经营模式的芯片设计企业◈✿✿，将晶圆制造和封测环节委外◈✿✿，晶圆代工厂根据公司提供的产品设计版图◈✿✿、工艺制程要求完成晶圆的加工制造◈✿✿，经公司验收后◈✿✿，公司再根据市场需求对其进行委外封装和测试◈✿✿。通过将制造◈✿✿、封装◈✿✿、测试环节委外◈✿✿，公司可将研发力量集中于功率半导体芯片设计环节◈✿✿，专注于自身所擅长的领域◈✿✿，提升核心竞争力◈✿✿；同时Fabless经营模式较IDM经营模式更为灵活◈✿✿，公司可快速根据市场变化进行产品结构调整◈✿✿。

　　公司制定了系统的研发管理制度和版图设计流程规范◈✿✿，包括《产品设计开发控制程序》《版图设计管理规定》《产品验证管理规定》《工程封装管理规定》等◈✿✿，对研发过程中各个环节进行了规范◈✿✿，保证设计研发产出符合公司要求规定◈✿✿，从而提升研发产出效率和成功率◈✿✿。研发流程主要包括论证阶段◈✿✿、设计阶段◈✿✿、工程试制阶段和定型阶段◈✿✿。

　　公司采购内容主要包括晶圆和封装测试服务◈✿✿。公司自主设计研发相关产品◈✿✿，再委托晶圆代工厂商生产并向其采购嘿嘿连载下载汅api免费旧版破解版◈✿✿。晶圆采购根据公司是否提供原材料外延片分为直接委外和带料委外两种采购形式◈✿✿：对于直接委外◈✿✿，晶圆代工厂自行采购外延片并根据公司设计版图（公司设计版图的具体载体为GDS文件或掩膜版）及工艺要求制造出公司所需晶圆◈✿✿，向公司销售加工后晶圆◈✿✿；对于带料委外◈✿✿，由公司提供外延片◈✿✿，晶圆代工厂仅负责晶圆制造◈✿✿，根据公司提供的设计版图及工艺要求制造出公司所需晶圆◈✿✿，并向公司收取加工费◈✿✿。两种模式所采购晶圆均为公司自主设计研发◈✿✿。对于加工后晶圆◈✿✿，晶圆代工厂具备中测条件的◈✿✿，公司会直接采购中测后晶圆◈✿✿，如晶圆代工厂不具备中测条件◈✿✿，公司采购加工后晶圆后◈✿✿，再另行委外中测◈✿✿，中测完成后入库◈✿✿。

　　公司制定了《采购控制程序》◈✿✿，对晶圆◈✿✿、外延片◈✿✿、封装◈✿✿、包辅料等采购流程制定了严格规定并遵照执行◈✿✿。公司还制定了《供应商开发和管理程序》《wafer委外加工管理规定》《CP委外加工管理规定》《封装委外加工管理规定》等规定◈✿✿，对各类外协采购进行严格管理和控制◈✿✿，保证外协采购内容满足公司要求◈✿✿。

　　公司采取直销为主◈✿✿、经销为辅的销售模式◈✿✿，主要直销客户多为业内知名的芯片设计◈✿✿、方案公司及高可靠领域客户◈✿✿；经销客户为公司的经销商◈✿✿。公司的经销模式为买断式◈✿✿，属于行业内的常规模式◈✿✿。公司制定了《成品客户管理规定》《报价管理规定》《售后服务管理制度》《客户投诉处理控制程序》等规定◈✿✿，其中对经销商的导入◈✿✿、价格制定◈✿✿、客诉流程等方面均作出了详细规定◈✿✿，公司与经销商均签署《产品授权经销协议》◈✿✿，对双方的权利和义务作出明确规定◈✿✿。

　　公司主营业务为功率半导体的设计◈✿✿、研发和销售◈✿✿，并提供相关技术服务◈✿✿。根据《中华人民共和国国民经济行业分类》（GB/T4754－2017）◈✿✿，公司所属行业为“C39计算机◈✿✿、通信和其他电子设备制造业”◈✿✿。

　　功率半导体自诞生以来经过七十多年的研究应用◈✿✿，从基材的迭代◈✿✿、结构设计的优化◈✿✿、先进封装形式◈✿✿、大尺寸晶圆的应用等多个方面进行技术创新◈✿✿，演进的主要方向为更高的功率密度◈✿✿、更小的体积◈✿✿、更低的功耗及损耗◈✿✿，其结构设计朝着理想目标不断改进◈✿✿，以适应更多应用场景的需要◈✿✿。据YoleDéveloppement数据◈✿✿，功率半导体器件每隔二十年将进行一次产品迭代◈✿✿，相比其他半导体◈✿✿，迭代周期相对慢◈✿✿，每一代芯片都拥有较长的生命周期◈✿✿。

　　MOSFET具有开关速度快◈✿✿、输入阻抗高◈✿✿、导通内阻小◈✿✿、易于驱动◈✿✿、热稳定性好等优点◈✿✿，既可在低电流和低电压条件下工作◈✿✿，也可用于大电流开关电路和高频高速电路◈✿✿，应用场景广泛◈✿✿。自上世纪70年代MOSFET诞生以来◈✿✿，发展至今已有数十年历史◈✿✿，其作为功率器件中市场份额占比最高的产品类型◈✿✿，目前仍活跃于市场中并得到广泛应用◈✿✿，技术和工艺不断成熟◈✿✿，从平面MOSFET发展到TrenchMOSFET◈✿✿，再到SGTMOSFET和SJMOSFET◈✿✿，再到当下火热的第三代功率MOSFET（SiC◈✿✿、GaN）◈✿✿，功率MOSFET的技术迭代方向主要围绕制程◈✿✿、设计（结构上变化）◈✿✿、工艺优化以及材料变更◈✿✿，以实现器件的高性能——高频率◈✿✿、高功率和低损耗等◈✿✿。

　　据QYResearch“全球MOSFET市场报告2023-2029”显示◈✿✿，2022年全球前十大厂商占有大约80%的市场份额◈✿✿，市场竞争格局相对稳定◈✿✿。我国知名功率半导体企业华润微◈✿✿、士兰微分别位列第九位和第十位◈✿✿，国产品牌经过多年发展已在国际竞争中崭露头角◈✿✿，但整体市场份额较国外品牌仍存差距◈✿✿。长期以来◈✿✿，以英飞凌◈✿✿、安森美◈✿✿、意法半导体◈✿✿、东芝◈✿✿、瑞萨为代表的国外品牌凭借先进制造优势◈✿✿、人才集聚优势◈✿✿、大规模研发投入和技术积累◈✿✿，目前占据全球MOSFET市场的主要份额◈✿✿。国内功率半导体产业起步较晚◈✿✿，前期主要通过引入国外技术后逐步创新◈✿✿，实现国产化◈✿✿，国内厂商的产品主要以二极管◈✿✿、晶闸管等技术壁垒相对较低的品类为主◈✿✿，在大功率MOSFET◈✿✿、IGBT等领域◈✿✿，产品的国产化率仍较低◈✿✿，国产替代有较大空间◈✿✿。在中国MOSFET市场中◈✿✿，国外品牌同样占据较强优势◈✿✿。

　　近年来◈✿✿，在政府的政策引导及资金扶持下◈✿✿，国内MOSFET市场蓬勃发展◈✿✿，MOSFET厂商资本支出和研发投入持续提升◈✿✿，涌现出一批国内厂商与国外品牌进行市场竞争◈✿✿，标志着国内MOSFET品牌与国外品牌的技术差距正在缩小◈✿✿。

　　功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心◈✿✿，可实现电源开关和电能转换的功能◈✿✿，实现变频◈✿✿、变相◈✿✿、变压◈✿✿、逆变◈✿✿、变流◈✿✿、开关的目的◈✿✿，几乎覆盖了所有的电子制造业◈✿✿，包括计算机◈✿✿、网络通信◈✿✿、消费电子◈✿✿、汽车电子◈✿✿、工业电子等产业◈✿✿，在新能源汽车/充电桩◈✿✿、数据中心◈✿✿、风光发电◈✿✿、储能◈✿✿、智能装备制造◈✿✿、机器人嘿嘿连载下载汅api免费旧版破解版◈✿✿、5G通讯等新兴领域也有广泛应用◈✿✿。从20世纪50年代发展至今◈✿✿，形成了以二极管◈✿✿、晶闸管◈✿✿、MOSFET◈✿✿、IGBT等为代表的多世代产品体系◈✿✿。不同产品在功率◈✿✿、频率◈✿✿、开关速度等参数上具有各自优势◈✿✿，市场呈现多世代并存的特点◈✿✿。

　　全球半导体衬底材料已经发展到第三代◈✿✿，包括以硅（Si）◈✿✿、锗（Ge）等为代表的第一代元素半导体材料◈✿✿，以砷化镓（GaAs）等为代表的第二代化合物半导体材料◈✿✿，以及以碳化硅（SiC）◈✿✿、氮化镓（GaN）等为代表的第三代宽禁带半导体材料◈✿✿。目前硅基材料仍是市场主流◈✿✿，但第三代宽禁带材料的应用规模开始持续增长◈✿✿。

　　功率器件种类较多◈✿✿，主要包括二极管天生赢家◈✿✿、三极管（BJT）◈✿✿、晶闸管◈✿✿、MOSFET和IGBT等◈✿✿。其中◈✿✿，二极管◈✿✿、晶闸管◈✿✿、三极管（BJT）的优点是成本低◈✿✿，生产工艺相对简单◈✿✿，在中低端领域大量应用◈✿✿；MOSFET◈✿✿、IGBT等器件结构相对复杂◈✿✿，工艺门槛和生产成本相对较高◈✿✿，系具有较高技术先进性的产品◈✿✿。根据YoleDéveloppement预测◈✿✿，到2028年功率器件将以Si基MOSFET◈✿✿、IGBT◈✿✿、SiC基MOSFET为主导◈✿✿，其中MOSFET在所有功率器件类别中占比最高◈✿✿，占比达30%◈✿✿，需求保持稳定增长嘿嘿连载下载汅api免费旧版破解版◈✿✿。

　　功率IC产品属于模拟IC的一种◈✿✿，在产品研发设计时需要在速度◈✿✿、功耗◈✿✿、增益◈✿✿、精度◈✿✿、电源电压◈✿✿、工艺◈✿✿、工作温度◈✿✿、噪声◈✿✿、面积等多种因素间进行考量◈✿✿。功率IC产品内部由多种功能模块电路构成◈✿✿，内部集成的功能模块有高精度低温漂的电压基准源◈✿✿、电流基准源◈✿✿、线性稳压器◈✿✿、高频振荡器◈✿✿、输出驱动模块及各种保护模块◈✿✿，需要充分考虑噪声◈✿✿、串扰等在各功能模块间的影响◈✿✿，每个功能模块电路均会影响到功率IC的性能指标◈✿✿，影响功率IC产品的研发速度和成功率◈✿✿，版图的布局布线的复杂度较高◈✿✿。因此对于功率IC设计公司来讲◈✿✿，需要相对专业资深的设计团队◈✿✿，不断进行功能模块IP电路的验证和储备◈✿✿，才能打磨出高性能的功率IC产品◈✿✿。

　　功率IC产品集成了低压CMOS◈✿✿、中压CMOS◈✿✿、高压CMOS◈✿✿、LDMOS◈✿✿、双极器件◈✿✿、各种阻容等多种器件◈✿✿，需采用高压BCD工艺来进行设计研发◈✿✿。由于功率IC产品的市场需求多样◈✿✿，晶圆代工厂提供的BCD工艺平台往往无法完全满足产品设计的要求◈✿✿，因此功率IC设计企业需同时具备产品设计研发及工艺开发能力◈✿✿，能够针对线路设计过程中的需求开发功率IC产品所需要的工艺平台◈✿✿。高压BCD工艺层次多◈✿✿，产品结构复杂◈✿✿，对功率IC产品研发提出较高的要求◈✿✿。

　　公司功率器件产品以MOSFET为主◈✿✿，长期以来◈✿✿，全球功率器件市场由国际巨头和国内领先企业共同主导◈✿✿。国际巨头如英飞凌◈✿✿、意法半导体◈✿✿、安森美等凭借技术优势和品牌影响力◈✿✿，在高端市场占据主导地位◈✿✿。例如◈✿✿，英飞凌在中国市场的销售额稳居第一◈✿✿。中国功率器件产业起步较晚◈✿✿，随着功率器件行业国产替代进程加速◈✿✿，国产功率器件市场份额得到逐步提升◈✿✿。国内企业如华为◈✿✿、比亚迪◈✿✿、闻泰科技◈✿✿、士兰微等通过技术创新和产业链整合◈✿✿，逐步缩小差距并提升竞争力◈✿✿。根据YoleDéveloppement预测◈✿✿，中国厂商在全球功率器件市场份额将从2023年的38%增至2027年的45%◈✿✿，彰显出我国MOSFET厂商在全球市场中的话语权日益扩大◈✿✿。公司已同时具备Si基及SiC基功率器件的设计◈✿✿、研发能力◈✿✿，积累了多项具有原创性和先进性的核心技术◈✿✿，其中3项达到国际先进水平◈✿✿，1项达到国内领先水平◈✿✿。SiC基功率器件方面◈✿✿，公司是国内为数不多的具备650V-3300VSiCMOSFET设计能力的企业之一◈✿✿，产品已覆盖业内主流电压段◈✿✿。

　　功率IC方面◈✿✿，公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC◈✿✿。PWM控制IC方面◈✿✿，根据QYResearch相关数据◈✿✿，国际巨头如TI（德州仪器）◈✿✿、ADI（亚德诺半导体）◈✿✿、英飞凌◈✿✿、安森美◈✿✿、意法半导体等欧美公司在PWM控制IC领域总体处于领先地位◈✿✿，这些企业在技术◈✿✿、品牌和市场渠道方面具有显著优势◈✿✿，占据了大部分市场份额◈✿✿。栅极驱动IC方面◈✿✿，TheInsightPartners预估◈✿✿，全球电机驱动IC市场规模将从2021年38.82亿美元增长至2028年的55.89亿美元◈✿✿，CAGR达5.3%◈✿✿。公司坚持在高可靠领域芯片国产化替代的战略方向◈✿✿，洞察市场需求导向◈✿✿，进行自主研发和创新◈✿✿，将科技成果与产业深度融合◈✿✿。高可靠领域作为国家战略性产业◈✿✿，对经济增长和科技进步具有重要推动作用◈✿✿。2025年◈✿✿，随着“十四五”规划进入收官之年◈✿✿，有望迎来需求复苏与结构优化的双重机遇◈✿✿。公司凭借自身研发的高性能产品◈✿✿，已与多家高可靠领域客户建立合作关系◈✿✿；该特定应用领域对产品的性能有严格要求◈✿✿，公司产品得以进入该领域◈✿✿，表明了公司部分产品指标已达到国外竞品同等水平◈✿✿，并在其细分产品领域逐步实现国产化替代◈✿✿，公司在高可靠领域已取得一定的市场地位◈✿✿。

　　目前高端功率半导体产品仍然主要由美◈✿✿、日◈✿✿、欧龙头厂商主导◈✿✿，国内厂商与国外龙头公司仍存在较大差距◈✿✿。据QYResearch“全球MOSFET市场报告2023-2029”显示◈✿✿，2022年全球前十大厂商占有大约80%的市场份额◈✿✿，核心厂商主要包括英飞凌◈✿✿、安森美◈✿✿、意法半导体◈✿✿、东芝等美◈✿✿、日◈✿✿、欧龙头厂商◈✿✿，国内厂商市场份额仅占10%左右◈✿✿，发展空间巨大◈✿✿。我国知名功率半导体企业安世半导体◈✿✿、华润微◈✿✿、士兰微也进入全球市场规模前十◈✿✿，这也反映我国MOSFET的国产化进程已取得初步进展◈✿✿。越来越多的本土厂商通过持续的研发投入和产品◈✿✿、技术升级◈✿✿，在技术研发与产品市场导入方面实现了快速成长◈✿✿，在汽车◈✿✿、工业嘿嘿连载下载汅api免费旧版破解版◈✿✿、通讯等相关的新兴产业不断寻求更大的市场空间◈✿✿。

　　以SiC为代表的第三代半导体材料给功率半导体行业带来了新的发展契机◈✿✿，SiC材料相对于硅基材料主要拥有如下优势◈✿✿：耐高压◈✿✿、耐高温◈✿✿、工作频率高◈✿✿。

　　①耐高压SiC的击穿场强约为硅的10倍◈✿✿，这就意味着同样电压等级的SiCMOSFET晶圆外延层厚度只要硅的十分之一◈✿✿，是应用于超高压功率器件的理想材料◈✿✿。

　　②耐高温SiC的禁带宽度是硅基材料的3倍◈✿✿，SiC的热导率是硅基材料的2-3倍◈✿✿，故SiC功率器件的应用可使散热器体积减小◈✿✿。

　　③高频SiC的电子饱和速度是硅基材料的2-3倍◈✿✿，SiC功率器件可实现10倍于硅基功率器件的工作频率◈✿✿。

　　国家设立了2030年前碳排放达峰◈✿✿，2060年前碳中和的双碳战略目标◈✿✿，未来制造业企业将进一步提升能源利用效率◈✿✿、减少碳排放◈✿✿，SiC凭借低功耗◈✿✿、耐高压◈✿✿、耐高温◈✿✿、高频等优势特性◈✿✿，在助力国家实现碳中和战略目标方面具有重要作用◈✿✿，其应用前景广阔◈✿✿。

　　现阶段中国功率半导体的进口量和进口占比仍然较大◈✿✿，尤其是用于工业控制领域的高性能产品及用于高可靠领域的产品◈✿✿，国产化替代空间广阔◈✿✿。根据CCID的数据◈✿✿，中国功率半导体市场中◈✿✿，接近90%的产品均依赖进口◈✿✿。根据中信证券研究数据◈✿✿，中国模拟芯片仍高度依赖进口◈✿✿，2023年国产化率仅为12%左右◈✿✿。近年来◈✿✿，国产化替代需求随着中美贸易摩擦而更加迫切◈✿✿。近年来◈✿✿，国家颁布了《国家信息化发展战略纲要》《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》等政策◈✿✿，为功率半导体产业链自主可控提供了政策支持◈✿✿，功率半导体行业的国产化替代进程将进一步加速◈✿✿。

　　功率器件的发展包含多个技术路径◈✿✿，包含线宽◈✿✿、器件结构◈✿✿、工艺进步◈✿✿、材料等多个方面◈✿✿，经过不断的发展◈✿✿，功率器件追求不断提高功率密度◈✿✿，实现功耗与成本的最优解◈✿✿，同时实现多种功能的集成◈✿✿。另外◈✿✿，功率器件的材料迭代（如第三代半导体材料）和集成化趋势也日益加强◈✿✿。

　　公司通过自主创新和技术沉淀天生赢家◈✿✿，已同时具备功率器件和功率IC的设计◈✿✿、研发能力◈✿✿。公司掌握了功率半导体芯片的前端设计技术◈✿✿，自主搭建了多个功率半导体细分产品的技术平台◈✿✿；公司与晶圆代工厂深度合作◈✿✿，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程◈✿✿，进一步优化产品性能◈✿✿。公司本期新获授权专利25项（其中发明专利23项◈✿✿、实用新型专利2项）◈✿✿，集成电路布图设计专有权23项◈✿✿；截至2024年12月31日◈✿✿，公司累计共已获授权专利113项(其中发明专利70项◈✿✿、实用新型专利43项)◈✿✿，集成电路布图设计专有权99项◈✿✿。

　　（1）为提升技术优势和保持产品竞争力◈✿✿，公司不断充实高技术研发人才和研发团队◈✿✿，提升现有人才队伍整体素质◈✿✿。2024年度◈✿✿，公司研发人员人数从年初的65人增至年末的82人◈✿✿，导致研发费用中工资薪酬增加1151.01万元◈✿✿。

　　（2）公司推动产品的技术高效升级◈✿✿，不断提升产品质量和性能◈✿✿，同时在产品谱系的完善◈✿✿、技术迭代升级◈✿✿、前道及封装工艺优化◈✿✿、质量检测及模具等方面加大研发投入◈✿✿，报告期内丰富PWM控制IC和栅极驱动IC的产品矩阵◈✿✿，并建立了非隔离DC-DC产品谱系◈✿✿、IPM功率模块产品谱系◈✿✿，新增高压模拟开关产品系列◈✿✿；功率器件类产品立项45项◈✿✿，新增及迭代功率器件产品25项◈✿✿，完成第3代SiCMOSFET产品平台的开发◈✿✿、新建SKSiCMOS（集成SiCSBD）产品平台◈✿✿，完善了中低压沟槽MOSFET产品系列以及不断完善FRMOS产品品质◈✿✿，导致相关材料及试验费用增长较为明显◈✿✿。

　　公司是国家高新技术企业◈✿✿、国家级专精特新“小巨人”企业◈✿✿、国家鼓励的重点集成电路设计企业◈✿✿，江苏省“科技小巨人企业”“江苏省潜在独角兽企业”◈✿✿、江苏省半导体行业协会理事单位◈✿✿，公司研发中心获“江苏省高可靠性功率器件工程技术研究中心”认证◈✿✿。截至2024年12月31日◈✿✿，公司累计共已获授权专利113项(其中发明专利70项◈✿✿、实用新型专利43项)◈✿✿，集成电路布图设计专有权99项◈✿✿。

　　在功率器件方面◈✿✿，公司积累了包括“高可靠性元胞结构”“新型复合终端结构及实现工艺技术”“一种利用PowerMOS管实现高压快速启动的AC-DC开关电源的实现方法”等多项核心技术◈✿✿，其中3项达到国际先进水平◈✿✿，1项达国内领先水平◈✿✿，使公司产品关键技术指标达到了与国际领先厂商同类产品的水平◈✿✿；在功率IC方面◈✿✿，公司基于晶圆代工厂0.5um600VSOIBCD和0.18um40VBCD等工艺自主搭建了设计平台◈✿✿；公司与晶圆代工厂深度合作◈✿✿，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程◈✿✿，进一步优化产品性能◈✿✿。公司已形成百余款功率IC产品◈✿✿，并完成了多款功率IC所需的IP设计与验证◈✿✿；公司自主研发了“一种全电压范围多基准电压同步调整电路及高精准过压保护电路”“一种输入失调电压自动修正电路”等核心技术◈✿✿，有效提升了产品参数一致性◈✿✿，增强了产品可靠性天生赢家◈✿✿。

　　凭借高性能的产品◈✿✿，公司荣获由中国电子信息发展研究院（赛迪研究院）评选的第十六届（2021年度）和第十五届（2020年度）“中国芯”优秀技术创新产品奖◈✿✿；由中国半导体行业协会◈✿✿、中国电子材料行业协会等机构联合评选的第十四届（2019年度）和第十二届（2017年度）中国半导体创新产品和技术奖◈✿✿。公司还获得了知名晶圆代工厂“最佳合作伙伴”“最佳业绩成长”的合作商奖项◈✿✿，芯片设计和工艺调试能力得到业内认可◈✿✿。

　　公司坚持“自主创芯◈✿✿，助力核心芯片国产化”的发展战略◈✿✿，公司目前拥有包括平面MOSFET◈✿✿、功率IC等800余款产品◈✿✿。公司平面MOSFET产品覆盖40V~1700V电压段◈✿✿，已形成低压◈✿✿、中压◈✿✿、高压全系列功率MOSFET产品系列◈✿✿，拥有近500款不同规格的产品◈✿✿；超结MOSFET已完成600~850V产品系列化◈✿✿；SGTMOS已建立40V~100V产品平台◈✿✿；公司在第三代半导体功率器件方面◈✿✿，已推出650V-3300VSiCMOSFET产品系列◈✿✿；功率IC方面◈✿✿，公司基于晶圆代工厂0.5um600VSOIBCD和0.18um40VBCD等工艺自主搭建了设计平台◈✿✿；公司与晶圆代工厂深度合作◈✿✿，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程◈✿✿，进一步优化产品性能◈✿✿。公司针对高可靠功率电源模块及电机驱动模块提供各功率段的芯片解决方案能力◈✿✿。未来◈✿✿，公司还将进一步实现对各种细分品类功率器件芯片的覆盖◈✿✿，并进一步促进功率IC和第三代半导体功率器件的产品系列化天生赢家◈✿✿。公司将努力成为一站式◈✿✿、全品类覆盖的高性能功率半导体产品供应商◈✿✿，助力功率半导体国产化替代◈✿✿，推动我国在高可靠领域基础元器件自主可控进程的发展◈✿✿。

　　公司凭借丰富的产品矩阵◈✿✿、高性能的产品和及时迅速的服务能力◈✿✿，已与超过600家客户进行合作◈✿✿，实现了广泛的客户覆盖◈✿✿。近年来基于公司前期较早地布局了高可靠应用领域◈✿✿，不断加大功率IC和功率器件产品在高可靠◈✿✿、工业控制和新能源应用领域的客户开拓力度◈✿✿。在高可靠领域◈✿✿，公司客户群已覆盖国内高可靠领域电源龙头企业及国家重点科研院所◈✿✿，并获得众多高可靠领域客户的高度认可◈✿✿；在工业控制领域◈✿✿，公司深挖工业储能◈✿✿、光伏逆变◈✿✿、新能源汽车及充电桩◈✿✿、工业电源等细分应用领域的产品需求◈✿✿，超高压平面MOSFET◈✿✿、高压超结MOSFET◈✿✿、SiCMOSFET等细分产品的产品研发及市场开拓取得良好成效◈✿✿。

　　2024年◈✿✿，公司实现营业总收入13013.44万元◈✿✿，较上年同期下降39.12%◈✿✿；实现归属于母公司所有者的净利润为-9718.93万元◈✿✿，较上年同期下降646.16%◈✿✿；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润为-10825.84万元◈✿✿，较上年同期下降1430.30%◈✿✿。2024年公司的营业收入及利润水平较2023年同期均有较大幅度的下滑◈✿✿。

　　近年来◈✿✿，国际政治经济形势存在一定不确定性◈✿✿，国际贸易摩擦频发◈✿✿、外国对我国半导体产业采取诸多限制措施◈✿✿。在此背景下◈✿✿，国家出台了众多产业政策◈✿✿，积极推动我国半导体产业链的自主可控◈✿✿，半导体芯片国产化替代进程加速◈✿✿，为国内功率半导体厂商提供了良好的发展机遇◈✿✿。我国功率半导体行业较西方国家起步较晚◈✿✿，受到企业规模及技术水平的制约◈✿✿，在高端功率半导体产品领域尚未形成整体的规模效应◈✿✿。

　　目前◈✿✿，功率半导体行业中美◈✿✿、日◈✿✿、欧龙头公司如英飞凌◈✿✿、意法半导体◈✿✿、安森美等凭借着先进制造优势◈✿✿、人才集聚优势◈✿✿、大规模研发投入和技术积累◈✿✿，处于行业领先地位◈✿✿；国内主流功率半导体厂商包括华润微◈✿✿、华微电子◈✿✿、士兰微◈✿✿、安世半导体◈✿✿、新洁能◈✿✿、东微半导等◈✿✿，这些企业在芯片设计或制造工艺方面亦拥有较为深厚的技术积累◈✿✿，在国内市场已形成一定品牌效应和规模效应◈✿✿，市场份额稳步提升◈✿✿。

　　公司专注于功率器件与功率IC的设计◈✿✿、研发与销售◈✿✿，并提供相关技术服务◈✿✿。公司坚持“自主创芯◈✿✿，助力核心芯片国产化”的发展定位◈✿✿，助力高性能功率器件◈✿✿、功率IC的国产化替代以及自主可控◈✿✿，将公司打造成高品质功率器件及智能功率IC的优秀供应商◈✿✿。针对未来发展◈✿✿，公司制定的战略规划如下◈✿✿：

　　公司将优化细分产品领域◈✿✿，扩大在高可靠领域和工业控制领域的销售规模◈✿✿，并提升总体收入规模和市场占有率◈✿✿；在SiC产品方面◈✿✿，加大产品系列布局和实现规模化销售◈✿✿。公司力争成为具有自主品牌影响力◈✿✿、规模稳定增长◈✿✿、技术专精◈✿✿、产品结构合理的高品质功率器件半导体供应商◈✿✿。

　　公司将拓展PWM控制IC和栅极驱动IC产品的客户范围和细分应用领域◈✿✿；深挖高可靠领域和工业级客户的市场潜力◈✿✿，以实现更多功率IC产品的国产化替代和自主可控◈✿✿，并不断扩大经营规模◈✿✿，实现作为专注于高可靠领域和工艺控制领域的智能功率IC优秀供应商的发展战略◈✿✿。

　　公司将在为客户提供更多的技术服务的同时◈✿✿，持续增强公司定义自主产品的能力◈✿✿，助力公司实现功率半导体产品和技术服务协同发展的战略◈✿✿，从而成为更多客户的首选供应商◈✿✿。

　　公司将不断提升硅基MOSFET产品的技术和性能◈✿✿，开拓战略大客户◈✿✿；优化平面MOSFET◈✿✿、FRMOS等6英寸生产线的产品结构和应用领域◈✿✿，加强在超高压电压段的产品布局◈✿✿、技术积累和客户开发◈✿✿；进一步投入研发和完善沟槽型MOSFET◈✿✿、超结MOSFET的产品系列◈✿✿，寻求对应的8英寸◈✿✿、12英寸产线代工资源和客户资源◈✿✿，同时针对新能源汽车用的高压大电流的超结MOSFET的芯片封装技术展开布局研究◈✿✿，提高该类产品的成品率及可靠性◈✿✿；加大SiC产品的研发投入并且积极进行客户开拓◈✿✿，针对新能源汽车电源使用的1200VSiCMOSFET进行系列化开发◈✿✿；对围绕工业控制◈✿✿、智能电网◈✿✿、储能等领域使用的1700V-2500VSiCMOSFET进行系列化开发◈✿✿。

　　公司将始终坚持技术创新◈✿✿，持续扩充功率IC的研发团队和加强人才培养◈✿✿；实时关注国外先进厂商的技术发展动态◈✿✿，不断对照差距◈✿✿，进行前沿技术的研发与探索◈✿✿；公司将结合积累的研发经验和技术优势◈✿✿，持续加大对PWM控制IC和栅极驱动IC等进行设计和工艺技术的研发◈✿✿，进一步丰富IP积累◈✿✿，开发更多的系列化产品◈✿✿；在高可靠领域和工业控制领域持续开拓更多的客户◈✿✿，满足客户对高端功率IC的需求◈✿✿。

　　为了进一步提升技术服务能力及服务质量◈✿✿，持续增强公司定义自主产品的能力◈✿✿，公司已采取以下措施◈✿✿：利用募投项目打造的功率半导体器件测试及可靠性考核平台◈✿✿，进一步提升服务质量及服务时效性◈✿✿；进一步对研发领域分工◈✿✿，专注细分领域的精细开发◈✿✿；建立市场调研队伍◈✿✿，深入市场了解客户未来需求◈✿✿，以争取到更多的项目机会◈✿✿。

　　通过加强对人员和资金的投入◈✿✿，加大对IPM◈✿✿、光继电器（PhotoMOS）等产品进行研发投入和市场开拓◈✿✿，丰富公司的产品品类和技术积累◈✿✿，满足更多客户的不同需求◈✿✿。

　　公司持续对战略性产品进行研发投入◈✿✿，加强对核心技术的积累◈✿✿；在注重基础研究的同时◈✿✿，深度拓展前沿技术的应用◈✿✿，推动产品的技术高效升级与产业化进程◈✿✿；通过与高校合作◈✿✿，打造良性循环的高端人才梯队◈✿✿，并将通过持续优化激励制度◈✿✿，增强团队的凝聚力和创造力◈✿✿，提升公司的自主创新能力◈✿✿。

　　在维持高比例研发投入的同时◈✿✿，公司将继续依据中长期发展战略◈✿✿，采取了审慎的投资策略◈✿✿，稳步推进募投项目建设◈✿✿，不断优化研发环境◈✿✿，增加研发的软硬件投入◈✿✿，建立并完善器件试验室◈✿✿、可靠性实验室和失效分析实验室等◈✿✿，增强对产品可靠性的检测能力◈✿✿，进一步提升公司研发和成果转化的能力水平◈✿✿，实现可持续发展◈✿✿。

　　随着公司产品研发的不断深入◈✿✿、产品线不断丰富以及对新应用领域的逐步涉足◈✿✿，公司市场开发能力◈✿✿、销售能力◈✿✿、服务客户能力亟待加强◈✿✿。未来◈✿✿，公司将进一步强化市场部对产品的定位及推广职能◈✿✿，加强销售部的培训体系和研发部的支持响应体系建设◈✿✿，拓宽服务客户的内容◈✿✿，提升客户的满意度和依赖度天生赢家◈✿✿，从而提升公司品牌的市场影响力和知名度◈✿✿，扩大公司产品的市场占有率◈✿✿。

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